【摘要】 本发明公开了一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，该 方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立 图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。具体步骤包括：在压电 衬底上涂敷电子抗蚀剂；前烘；生长对电子束曝光背散射小的金属材料； 电子束直写曝光；去除金属层；显影；定影；生长叉指电极金属；剥离。 采用这种方法制作的叉指电极的边缘陡直，宽度控制好，可用于制作特征 线宽在500nm以下各种声表面波器件。这种方法具有工艺步骤少、简单、 稳定可靠的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810222329.7 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101676797A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101676797B 【授权公告日】2011-10-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/00; G03F7/20; G03F7/039; G03F7/42 【发明人】赵以贵; 刘明; 牛洁斌 【主权项内容】1、一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于， 该方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹 立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7
