【摘要】 本发明提供了一种半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法，其中，所述半导体制造设备包括：适于放置晶片的等离子体腔室；适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度。上述半导体制造设备中的边缘保护圈保护晶片的边缘部分，能够避免等离子体对晶片边缘部分的损伤，提高晶片的成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226383.9 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740335A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740335B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065; H01J37/32; H01L21/02 【发明人】李志强; 张京晶; 王军; 李良坚 【主权项内容】一种半导体制造设备，包括：适于放置晶片的等离子体腔室；适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】12 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12
