【摘要】 本发明公开了提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，用于将晶圆置于反应腔中进行多晶硅薄膜刻蚀，该方法包括：对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀前，利用化学气相沉积的方法在反应腔侧壁上生成SiO2Cl4。本发明实施例的这种提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，每次在对晶圆加工前预先在反应室的侧壁上沉积一层物质，能够有效防止污染粒子对晶圆的表面污染，并且，利用该物质与刻蚀气体反应释放出的氧原子与晶圆边缘的硅进行反应生成氧化物，降低了刻蚀气体对于晶圆边缘各向同性的腐蚀，从而能够有效提高多晶硅薄膜关键尺寸的均匀度，且该方法实现简单成本低廉。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227471.0 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736405A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736405B 【授权公告日】2012-01-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C30B33/12; H01L21/3065; C30B33/00; H01L21/02 【发明人】黄怡; 张海洋; 陈海华; 赵林林 【主权项内容】提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，用于将晶圆置于反应腔中进行多晶硅薄膜刻蚀，其特征在于，该方法包括：对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀前，利用化学气相沉积的方法在反应腔侧壁上生成SiO2Cl4。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
