【摘要】 一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层和贯穿所述介质层 的接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层；刻蚀所述 导电层，形成图形化的导电层；还包括：利用辅助气体对所述图形化的 导电层执行热处理操作，所述热处理操作的温度范围为100摄氏度～300 摄氏度；在经历所述热处理操作的图形化的导电层上形成图形化的保护 层，所述图形化的保护层暴露经历所述热处理操作的图形化的导电层的 部分表面，形成焊盘。可在焊盘的形成过程中减少所述枝状缺陷的产生， 且无需较长的处理时间。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117728.7 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645409A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【发明人】王新鹏; 韩秋华 【主权项内容】1.一种焊盘形成方法，包括， 在基底上形成介质层和贯穿所述介质层的接触孔； 形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层； 刻蚀所述导电层，形成图形化的导电层； 其特征在于，还包括： 利用辅助气体对所述图形化的导电层执行热处理操作，所述热处理 操作的温度范围为100摄氏度～300摄氏度； 在经历所述热处理操作的图形化的导电层上形成图形化的保护层， 所述图形化的保护层暴露经历所述热处理操作的图形化的导电层的部 分表面，形成焊盘。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
