【摘要】 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体基 底；在半导体基底上形成栅层；在栅层上形成阻挡层；对阻挡层和栅层 刻蚀，形成阻挡图形和栅极；对半导体基底和栅极进行清洗；在栅极的 两侧的半导体基底中形成源极区和漏极区；去除所述阻挡图形。该方法 通过在栅层上层形成一层阻挡层，从而在形成栅极两侧的半导体基底中 形成源极区和漏极区的过程中，可以阻挡栅层下的半导体基底中被注入 杂质离子，从而改善源极区和漏极区之间形成漏电流的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118407.9 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651103A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651103B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【发明人】韩秋华; 张海洋 【主权项内容】1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体基底； 在半导体基底上形成栅层； 在栅层上形成阻挡层； 对阻挡层和栅层刻蚀，形成阻挡图形和栅极； 对半导体基底和栅极进行清洗； 在栅极的两侧的半导体基底中形成源极区和漏极区； 去除所述阻挡图形。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
