【摘要】 本发明公开了一种氧化硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入薄膜沉积室内；对所述沉积室进行抽真空操作；对所述沉积室进行加热操作；向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量比在1∶800至1∶125之间；向所述沉积室引入能量，进行薄膜的沉积；取出已沉积薄膜的所述衬底。本发明还公开了相应的一种金属-绝缘体-金属型电容形成方法。采用本发明的氧化硅薄膜方法形成的金属-绝缘体-金属型电容，降低并稳定了电容的电容电压系数及电容温度系数，改善了电容的动态特性，提高了电容的电性能稳定性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225923.1 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736314A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736314B 【授权公告日】2012-07-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C16/40; C23C16/455; H01L21/316; H01L21/02 【发明人】蔡明; 邹晓东; 徐强 【主权项内容】一种氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入薄膜沉积室内；对所述沉积室进行抽真空操作；对所述沉积室进行加热操作；向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量比在1∶800至1∶125之间；向所述沉积室引入能量，进行薄膜的沉积；取出已沉积薄膜的所述衬底。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】13 【他引次数】1.0 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】13
