【摘要】 本发明涉及一种控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构，其特征在于在25℃～400℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在400℃～650℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料周围包裹一层阻挡层材料，阻止相变材料在加热过程中的扩散、挥发。本发明还提供了相应的相变存储单元结构上的改进。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810041391.6 【申请日】2008-08-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101335327B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101335327B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】宋志棠 【主权项内容】控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法制作的相变存储单元的结构，所述的方法是在25℃～400℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在400℃～650℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料周围包裹一层阻挡层材料，阻止相变材料在加热过程中的扩散、挥发；其特征在于在衬底上制备底电极，底电极上覆盖介质层，介质层中镶嵌柱状加热电极制备成直径在100nm以下的纳米加热电极，在小的纳米加热电极上端开槽，槽周围有一薄层相变材料包裹层，然后填充非晶相变材料，退火形成晶态相变材料中的有源区，最后晶态相变材料上端覆盖绝热材料，开孔引出上电极。 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】5.0 【自引次数】3.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4
