【摘要】 一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构，属于微型电子器件领域。本发明包括下电极、镂空电极和离子检测电极，下电极与镂空电极之间构成气体放电区域，镂空电极与离子检测电极之间构成离子漂移区域；下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜，镂空电极可以使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子能够部分地运动到气体放电区域之外，镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层。相对于局部放电电流幅值检测，本发明应用于离化气体传感器，能够显著提高其选择性、稳定性、寿命和可靠性，提高识别气体的精度和准确度。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810033995.6 【申请日】2008-02-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101236177B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101236177B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N27/68 【发明人】侯中宇; 蔡炳初; 张亚非; 徐东 【主权项内容】一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构，其特征在于，包括：下电极、镂空电极和离子检测电极，镂空电极位于下电极与离子检测电极之间，下电极与镂空电极之间存在气体间隙，构成气体放电区域，镂空电极与离子检测电极之间存在气体间隙，构成离子漂移区域；下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜，镂空电极使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子部分地运动到气体放电区域之外，镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层；所述的一维纳米材料膜，其中的一维纳米材料为导体性或者半导体性一维纳米材料，其直径在几纳米到几百纳米之间。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
