【摘要】 本发明公开了一种大马士革互连工艺中铜金属填充方法，属于集成电路制造领域。 所述方法包括：首先对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤；每次 铜电镀和铜重溅射步骤之间进行去气；最后进行一次最终铜电镀；所述n＝Int[(R-2) /2]；其中R为欲填充的孔隙深/宽比；所述Int函数的定义为：将任意实数向上取整为 最接近的整数。本发明的铜金属填充方法中的铜重溅射步骤将上一电镀步骤后堆积在 欲填充孔隙顶部拐角处的铜金属通过轰击进行剥离，消除了孔洞形成的成因。特别是 针对45纳米以下技术节点、接触孔实际宽度＜70纳米、孔隙深宽比大于2∶1的孔隙， 可以保证孔隙的无孔洞填充。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810118423.8 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651117A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651117B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【发明人】杨柏 【主权项内容】1、一种大马士革互连工艺中铜金属填充方法，其特征在于，所述方法包括下列步 骤： 步骤A：对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤； 步骤B：进行一次最终铜电镀； 所述n＝Int[(R-2)/2]；其中R为欲填充的孔隙深/宽比；所述Int函数的定义为： 将任意实数向上取整为最接近的整数。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
