【摘要】 一种水滑石纳米片修饰的DNA敏感电极及其制备方法，属于电化学生物传感器及其制备技术领域。该敏感电极以玻碳电极为基底电极，由双链DNA和钴铝水滑石纳米片构成敏感膜修饰在基底电极表面。该敏感电极的制备方法是：将钴铝水滑石纳米片溶胶滴涂于洁净玻碳电极表面，在室温下干燥后用二次蒸馏水冲洗晾干，再将双链DNA溶液滴涂于水滑石纳米片层表面，室温下干燥并用二次蒸馏水冲洗晾干，即制得水滑石纳米片修饰的DNA敏感电极。该敏感电极的优点在于：利用水滑石纳米片比表面积大、带有高密度正电荷、表面富含羟基及具有良好的导电性等特性，可实现大量DNA的稳定固定，该电极可用于苯酚的定量测定并具有良好的抗干扰性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京化工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北三环东路15号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810112018.5 【申请日】2008-05-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281158B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281158B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N27/327 【发明人】杨文胜; 李立群; 王毅 【主权项内容】一种水滑石纳米片修饰的DNA敏感电极，其特征在于，以玻碳电极为基底电极，由双链DNA和钴铝水滑石纳米片构成敏感膜修饰在基底电极表面，其中双链DNA的含量为2.1～4.2μg/mm2，钴铝水滑石纳米片的含量为1.4～5.6μg/mm2；所述双链DNA为鲱鱼精子DNA或鲑鱼精子DNA中的一种。 【当前权利人】北京化工大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北三环东路15号 【统一社会信用代码】1210000040000182XD 【引证次数】6.0 【自引次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9
