【摘要】 本发明公开了一种掩模板及其制造方法。掩模板包括基板，所述基板上 形成有完全透光区域、非透光区域和半透光区域，所述半透光区域内设置有 使所述半透光区域均匀透光的半透膜。本发明的技术方案中在掩模板的半透 光区域采用厚度不均匀的半透膜，利用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时， 可以使沟道区域处的光刻胶曝光均匀，解决了现有技术灰色调掩模技术中曝 光的光刻胶高低不平的问题，使沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了 曝光的光刻胶的平整度，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率；本发明还 解决了现有技术半色调掩模技术中沟道处曝光的光刻胶倾角过小的问题，增 大了曝光的光刻胶的倾角，提高了TFT沟道的充电特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118177.6 【申请日】2008-08-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101650526A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101650526B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【发明人】朴云峰; 朴春培; 秦纬; 王威 【主权项内容】1、一种掩模板，包括基板，所述基板上形成有完全透光区域、非透光区 域和半透光区域，其特征在于，所述半透光区域内设置有使所述半透光区域 均匀透光的半透膜。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
