【摘要】 本发明提供一种去除光刻胶残留的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一掺杂区、第二掺杂区和图形化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述半导体衬底上的第一掺杂区并暴露第二掺杂区，所述第一掺杂区经离子注入而掺杂有第一离子，所述第二掺杂区上与第一掺杂区交界处具有交界区，所述交界区与第二掺杂区上其他部位光反射性能不同的，所述交界区留有光刻胶残留；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述光刻胶残留；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第二掺杂区进行处理，并去除光刻胶层。上述方法去除因交界区光反射性能差异所产生的光刻胶残留，防止其影响后续处理第二掺杂区的工艺。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810112515.5 【申请日】2008-05-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587833B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587833B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/027; H01L21/266; H01L21/336; G03F7/42 【发明人】韩秋华; 马擎天 【主权项内容】一种去除光刻胶残留的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一掺杂区、第二掺杂区和图形化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述半导体衬底上的第一掺杂区并暴露第二掺杂区，所述第一掺杂区经离子注入而掺杂有第一离子，所述第二掺杂区上与第一掺杂区交界处具有交界区，所述交界区与第二掺杂区上其他部位光反射性能是不同的，所述交界区留有光刻胶残留；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述光刻胶残留，所述等离子体处理为以氮、氧及氦的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀，其中氮气的流量是27sccm至33sccm，氧气的流量为27sccm至33sccm，氦气的流量是81sccm至99sccm，等离子刻蚀的压力是6mTorr至10mTorr，等离子化功率为330W至400W，等离子处理的时间是11秒至17秒，处理时所述半导体衬底的中心温度为45摄氏度至51摄氏度，边缘温度为60摄氏度至70摄氏度；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第二掺杂区进行处理，并去除光刻胶层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】7.0 【被引证次数】1 【他引次数】7.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】11
