【摘要】 本发明公开了一种光刻后注入离子的方法。本发明在半导体基底与光刻 胶之间增加了屏蔽层，用来屏蔽经光刻胶沟槽侧壁折射而损失能量的注入离 子。这样，损失一部分能量的离子不会注入至半导体基底中，保证了注入至 半导体基底中的离子能量均匀，从而抑制了WPE效应。而且，本发明通过 提高烘烤温度使得光刻胶沟槽的侧壁向其外侧倾斜。这样，离子经由沟槽的 侧壁折射后，可能会从沟槽顶部的开口射出而不会轰击在屏蔽层，因而能够 降低经侧壁折射的离子穿过屏蔽层的概率，从而进一步抑制了WPE效应。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222119.8 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673060A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673060B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/26; G03F7/38 【发明人】刘思南 【主权项内容】1、一种光刻后注入离子的方法，其特征在于，该方法包括： 在半导体基底上旋涂屏蔽层； 在所述屏蔽层上旋涂光刻胶； 选择性曝光所述光刻胶，并去除被感光部分的光刻胶形成沟槽，然后进 行烘烤； 在所述沟槽处向所述半导体基底注入离子。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
