【摘要】 本发明公开了两种PMOS晶体管的制造方法及利用该方法制造的PMOS晶体管，其中一种方法包括步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成栅导电层；通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子；刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。该PMOS晶体管的制造方法，使得PMOS晶体管的NBTI提高，PMOS晶体管的性能提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224805.9 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728269A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728269B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/28; H01L29/78; H01L29/51; H01L21/02; H01L29/40; H01L29/66 【发明人】居建华 【主权项内容】一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成栅导电层；通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子；刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。 ： 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】13 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13
