【摘要】 一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法，步骤为：(1)从CPU接收K位信息数据；(2)生成与K位信息数据对应的N位校验数据A；(3)将K位信息数据和N位校验数据A存入存储器；(4)从存储器中读出所述K位信息数据，并采用步骤(2)方法重新生成与K位信息数据对应的N位校验数据B；(5)将校验数据A和校验数据B进行异或运算，得到校正子；(6)通过校正子定位信息数据和校验数据A中的错误，若产生一位或两位数据错误，则纠正数据错误并输出正确的数据；若产生三位或可检测的三位以上的数据错误，则提示产生不可纠正错误。该方法纠错能力强、操作简单，可对单粒子效应引起的存储器一位或两位错误进行有效纠检。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】丰台区 【申请号】CN200810112421.8 【申请日】2008-05-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281481B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281481B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F11/10 【发明人】郝丽; 于立新; 苏天红; 彭和平 【主权项内容】一种存储器抗单粒子翻转的纠错检错方法，其特征在于步骤如下：(1)从CPU接收K位信息数据；(2)生成与所述K位信息数据对应的N位校验数据A；采用公式P＝M·G进行计算，其中M为将K位信息数据以8位为单位分组后形成的1×8行向量，G为与8位信息数据对应的生成矩阵，其具体形式根据纠检错能力和信息数据的位数K确定，P为生成的与8位信息数据对应的校验数据，K/8组数据并行处理，即可得到校验数据A；(3)将所述K位信息数据和所述N位校验数据A存入存储器；(4)从存储器中读出所述K位信息数据，并采用步骤(2)方法重新生成与所述K位信息数据对应的N位校验数据B；(5)将校验数据A和校验数据B进行异或运算，得到校正子；(6)通过校正子定位信息数据和校验数据A中的错误，根据校正子与奇偶校验矩阵H中每一列的对应关系进行数据错误定位，若校正子与奇偶校验矩阵H中只有一列对应相同，则可判断信息数据或校验数据A中产生一位数据错误；若校正子与奇偶校验矩阵H中某两列的按位异或运算结果对应相同，则可判断信息数据或校验数据A中产生两位数据错误，奇偶校验矩阵H的形式为：其中I为单位矩阵，H中不多于4个列向量之和均不等于0；若产生一位或两位数据错误，则纠正数据错误并输出正确的数据；若产生三位或可检测的三位以上的数据错误，则提示产生不可纠正错误。F2008101124218C00011.tif 【当前权利人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【当前专利权人地址】北京市丰台区东高地四营门北路2号; 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110000781701976T 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】50
