【摘要】 本发明提供一种半导体高压终端结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：首先提供硅基板，于该硅基板上形成场氧化层，并在场氧化层上层引入易腐蚀层；利用光刻掩膜版定义高压终端结构区；然后利用湿法腐蚀场氧化层，形成具斜角的斜坡氧化层；利用斜坡氧化层作为自对准掩膜进行离子注入，引入横向扩散的初始杂质；最后在斜坡氧化层的起始端形成具有渐变横向掺杂梯度的高压保护环；在斜坡氧化层上淀积高掺杂多晶硅或金属形成斜坡场板。该半导体高压终端结构包括硅基板、设置在硅基板上的斜坡氧化层、利用该斜坡氧化层作为自对准掩膜注入的渐变横向掺杂梯度的高压保护环，以及淀积在斜坡氧化层上的高掺杂多晶硅或金属斜坡场板。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海芯能电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】200001 上海市黄浦区北京东路666号科技京城B区609-2室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】黄浦区 【申请号】CN200810203922.7 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752208A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752208B 【授权公告日】2013-06-19 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L23/00 【发明人】龚大卫; 邵凯 【主权项内容】一种半导体高压终端结构的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：第一步，提供硅基板，在该硅基板上形成场氧化层，通过离子轰击方式或直接淀积松散氧化层的方法在场氧化层上部引入易腐蚀层，该易腐蚀层具有一定厚度；第二步，利用光刻掩膜版定义高压终端结构区；第三步，利用湿法腐蚀损伤层，按照损伤层与未损伤氧化层的腐蚀速率差异形成具斜角的斜坡氧化层；第四步，利用斜坡氧化层作为自对准掩膜进行离子注入，引入横向扩散的初始杂质；第五步，横向热扩散杂质，形成具有渐变横向掺杂梯度的高压保护环；第六步，在斜坡氧化层上淀积一定厚度的高掺杂多晶硅或金属层形成斜坡场板。。： 【当前权利人】商海涵 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】7.0 【被引证次数】25 【他引次数】7.0 【被他引次数】25.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】25
