【摘要】 一种半导体制程中无机膜层刻蚀方法，包括：采用刻蚀无机膜层时 的刻蚀气体清洗刻蚀反应腔室；运行具有所述无机膜层及暴露部分所述 无机膜层的掩模层的半导体基底；以所述掩模层为掩模，采用包含所述 刻蚀气体的反应气体去除暴露的部分所述无机膜层。可增强刻蚀反应腔 室内环境的一致性，且无需进行设备改进。一种浅沟槽隔离区形成方法， 包括：采用形成浅沟槽时的刻蚀气体清洗刻蚀反应腔室；运行其上具有 图形化的掩模层的半导体基底；以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀部 分深度的所述半导体基底，形成浅沟槽；向所述浅沟槽填充隔离层，形 成浅沟槽隔离区。可在形成浅沟槽时，增强刻蚀反应腔室内环境的一致 性，且无需进行设备改进。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810115959.4 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620981A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620981B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/3065; H01L21/308; H01L21/311; H01L21/3213; H01L21/762 【发明人】杜珊珊; 韩秋华 【主权项内容】1.一种半导体制程中无机膜层刻蚀方法，其特征在于，包括： 采用刻蚀无机膜层时的刻蚀气体清洗刻蚀反应腔室； 运行具有所述无机膜层及暴露部分所述无机膜层的掩模层的半导 体基底； 以所述掩模层为掩模，采用包含所述刻蚀气体的反应气体去除暴露 的部分所述无机膜层。。： 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】9.0
