【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，所述公共电极线与数据线平行，且位于所述数据线之下。本发明通过将公共电极线置于数据线之下，一方面最大限度地减小了公共电极线占据像素区域的面积，增大了像素开口率，另一方面还可以起到遮光作用。同时，由于公共电极线与像素电极之间只存在一层第一钝化层，存储电容两极之间的距离大大缩小，增大了存储电容。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226094.9 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738799A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101738799B 【授权公告日】2011-09-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84; G03F7/00 【发明人】张弥 【主权项内容】一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，其特征在于，所述公共电极线与数据线平行，且位于所述数据线之下。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】37 【被自引次数】13.0 【被他引次数】24.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】37
