【摘要】 本发明公开了一种覆晶封装方法，包括提供一基板，基板具有一切割道；形成一绝缘层于基板上，绝缘层具有一沟槽，沟槽位于切割道上；将一芯片设置于基板上，芯片的设置位置位于沟槽的一侧且邻近于沟槽，芯片以覆晶接合的方式电性连接于基板；以及，从邻近切割道的芯片的一侧开始形成一底胶于芯片与基板之间。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810099605.5 【申请日】2008-05-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101276766B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101276766B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/56; H01L21/60 【发明人】钟智明 【主权项内容】一种覆晶封装方法，包括：(a)提供一基板，具有一切割道；(b)形成一绝缘层于该基板上，该绝缘层具有一沟槽，该沟槽位于该切割道上；(c)将一芯片设置于该基板上，该芯片的设置位置位于该沟槽的一侧且邻近于该沟槽，该芯片以覆晶接合的方式电性连接于该基板；以及(d)从邻近该切割道的该芯片的一侧开始形成一底胶于该芯片与该基板之间；发生溢胶时，该溢胶流入所述沟槽而不会流至邻近该芯片的焊垫。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【家族被引证次数】7
