【摘要】 本发明涉及硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨 组成物。该研磨硅贯通电极晶圆的研磨方法，包含：使一研磨 组成物对一硅贯通电极晶圆的一研磨面进行一研磨处理；其特 征在于：该研磨组成物包括有一碱性化合物、一溶剂、氧化硅 研磨粒子，与一氧化剂，且该研磨组成物具有一流速，该硅贯 通电极晶圆被施以一研磨压力地与一研磨垫接触，且在该研磨 处理进行中时，该研磨垫与该硅贯通电极晶圆分别具有一转速； 本发明也有关于上述方法所使用的研磨组成物，其可随组成与 研磨处理进行中的各项机台操作参数，而相对地对硅、金属的 研磨速率或研磨选择性有所变化，于是使用者可在研磨处理进 行中机动地改变上述组成或参数，进而高效益地完成晶圆研磨。 【专利类型】发明申请 【申请人】长兴开发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135107.1 【申请日】2008-07-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101637884A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】赖欣宜; 刘文政; 李康华 【主权项内容】 1.一种硅贯通电极晶圆的研磨方法，包含：使一研磨组成 物对一硅贯通电极晶圆的一研磨面进行一研磨处理；其特征在 于， 该研磨组成物包括有一碱性化合物、一溶剂、氧化硅研磨 粒子，与一氧化剂，且该研磨组成物具有一流速，该硅贯通电 极晶圆被施以一研磨压力地与一研磨垫接触，且在该研磨处理 进行中时，该研磨垫与该硅贯通电极晶圆分别具有一转速。 【当前权利人】长兴开发科技股份有限公司; 长兴化学工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄县; 中国台湾高雄市三民区建工路578号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
