【摘要】 本发明涉及面板阵列上的每个多域垂直配向型(MVA)像素结构，具有至少二个子像素。调整该些子像素内部的晶体管的通道长宽比，可使得该些子像素具有不同显示电位，以改善侧视角画面的显示品质。在其中一个子像素与一共用配线(Vcs)间配置一个晶体管，以当成排除残留电荷路径，能改善烧附现象。 【专利类型】发明授权 【申请人】中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810087677.8 【申请日】2008-03-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101546075B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101546075B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; G02F1/139; H01L29/78 【发明人】王贤军; 许庭彰 【主权项内容】一种多域垂直配向型像素结构，包括：一基板；多条扫描线，配置于该基板上；多条数据线，配置于该基板上；多条共用配线，配置于该基板上；以及多个像素单元，配置于该基板上，每一像素单元包括：一第一像素电极；一第二像素电极；一第三像素电极；以及一三漏极有源元件，该三漏极有源元件至少包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极、一第二漏极、一第三漏极以及一半导体层，该栅极电性连接至对应的该扫描线，该图案化源极电性连接至对应的该数据线，该第一漏极电性连接至该第一像素电极，该第二漏极电性连接至该第二像素电极，该第三漏极电性连接至该第三像素电极，该第三像素电极电性连接至该共用配线，该栅极受一栅绝缘层覆盖，该半导体层配置于该栅极上方的该栅绝缘层上，而该图案化源极、该第一漏极、该第二漏极与该第三漏极配置于该半导体层上，其中，该栅极、该图案化源极与该第一漏极构成一第一有源元件；该栅极、该图案化源极与该第二漏极构成一第二有源元件；以及该栅极、该图案化源极与该第三漏极构成一第三有源元件，其中，该第三有源元件作为源极的一端耦接至该第二有源元件的该第二漏极，该第一像素电极与该第二像素电极间的一显示电位差与该第二有源元件与该第三有源元件的元件尺寸特征有关。 【当前权利人】中华映管股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】10
