【摘要】 本发明揭示一种MIM电容、形成α-钽层的方法、以及形成MIM电容的方法。形成MIM电容的方法包括形成含氮层于半导体基底上。以轰击元素轰击含氮层以形成α-钽晶种层。之后，在N2流量实质上为零的条件下溅镀Ta以形成α-钽的第一极板表层。之后，形成介电层于第一极板上，并形成第二极板于介电层上，以完成MIM电容的制作。本发明可降低电极板的电阻，可降低电容的厚度，其他优点还包括以较低的成本制作出低电阻、低厚度的MIM电容。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146359.4 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101425453B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101425453B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L29/92; H01L27/04; H01L27/06; H01L27/08; H01L23/522 【发明人】曹荣志; 廖茂成; 孙钟仁; 陈科维 【主权项内容】一种形成α-钽层的方法，包括下列步骤：形成氮化硅层于半导体基底上；以轰击元素轰击该氮化硅层以形成α-钽晶种层；以及在氮气流量为零的条件下溅镀钽层于该α-钽晶种层上，以形成由α-钽所构成的表层。。： 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】5
