【摘要】 本发明公开了一种非易失性存储器及其操作方法。非易失性存储器包括存储单元阵列、第一虚拟单元阵列、地址译码单元及同步编程电路。存储单元阵列包括一第一存储单元，而第一虚拟单元阵列包括一第一虚拟单元。第一虚拟单元系相邻于存储单元阵列之边缘一侧，且与第一存储单元相对应。地址译码单元接收一地址信号以进行译码，且当该地址信号为第一虚拟单元之相对地址时，同步编程电路控制第一虚拟单元与第一存储单元被同步地编程。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810096284.3 【申请日】2008-05-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101350223B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101350223B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C16/08; G11C16/10 【发明人】黄俊仁; 陈嘉荣; 何信义 【主权项内容】一种非易失性存储器，其特征在于，该存储器包括：一存储单元阵列，包括：一第一存储单元；一第一虚拟单元阵列，包括：一第一虚拟单元，系相邻于该存储单元阵列的一第一侧，且与该第一存储单元相对应；一地址译码单元，用以接收一地址信号以进行译码；以及一同步编程电路，当该地址信号为该第一虚拟单元的相对地址时，控制该第一虚拟单元与该第一存储单元被同步地编程。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】1
