【摘要】 本发明提供一种半导体结构与绝缘结构的形成方法。在该绝缘结构的形 成方法中，首先，提供基底，其中具有浅沟槽隔离。其次，在基底表面形成 图案化掩模层。然后，通过图案化掩模层蚀刻基底，以于浅沟槽隔离相对两 侧分别形成第一深沟槽与第二深沟槽，以及第一底切与第二底切。再来，在 第一深沟槽与第二深沟槽中分别部分填充硅。继续，以绝缘材料填满第一深 沟槽与第二深沟槽以形成绝缘结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131012.2 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656228A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【发明人】苏怡男 【主权项内容】1.一种绝缘结构的形成方法，包含： 提供基底，该基底上具有图案化掩模层，该基底中包含部份填满硅的第 一深沟槽、邻近该第一深沟槽并填满硅的第二深沟槽与位于该第一深沟槽与 该第二深沟槽之间的浅沟槽隔离，且该图案化掩模层具有定义该第一深沟槽 的第一开口与该第二深沟槽的第二开口，其中分别在该第一深沟槽与该第二 深沟槽内部、该基底中另具有邻近该图案化掩模层的第一底切与第二底切； 将第一绝缘材料部分填满该第一深沟槽与该第二深沟槽以形成该绝缘 结构；以及 移除该图案化掩模层，使得该第一绝缘材料突出该基底表面，且该第一 底切与该第二底切分别形成第一空洞与第二空洞。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
