【摘要】 本发明公开了一种正多边形微腔双稳半导体激光器，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。利用本发明，由于正多边形微腔中不同对称性模式的品质因子和耦合效率随波导的变化有着不同的关系，通过控制输出波导的宽度使不同对称性模式具有相同的阈值增益和不同的耦合效率，所以能够实现正多边形微腔激光器的输出双稳特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224106.4 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728760A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728760B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01S5/00; H01S5/10; H01S5/20 【发明人】黄永箴; 杨跃德; 王世江 【主权项内容】一种正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
