【摘要】 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将 单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机 物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和 InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理； 步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真 空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4： 对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理； 步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222336.7 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677057A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677057B 【授权公告日】2011-02-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/18; H01L21/02 【发明人】彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣 【主权项内容】1、一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗， 去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底； 步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除 表面的杂质离子、除碳和亲水性处理； 步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置 于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气； 步骤4：对键合后的晶片进行减薄； 步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理； 步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】14 【被自引次数】4.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】16
