【摘要】 本发明提供一种掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，首先用固相法合成的BaCeO3粉体与固相法合成的GdBaCuO粉体混合，其中BaCeO3粉体占总重量的0.25-1.0％，经高速振摆球磨混合均匀后，用单轴模压成型；再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺(TSMTG)制备单畴GdBaCuO超导块材；最后在350-400℃进行吸氧热处理50～120小时。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810240069.6 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101747033A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C04B35/45; C04B35/622; H01B12/00 【发明人】焦玉磊; 肖玲; 郑明辉 【主权项内容】一种掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：a.将固相法合成的Gd123、Gd211粉体与固相法合成的BaCeO3粉体混合，并经高速振摆球磨混合均匀，其中，Gd123与Gd211的摩尔比为1∶0.3～0.5，BaCeO3粉体占总重量的0.25-1.0％；b.用单轴模压成型；c.再采用顶部籽晶技术结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块材；d.将以上单畴GdBaCuO超导块材在350-400℃进行吸氧热处理50～120小时。 【当前权利人】北京有色金属研究总院 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号
