【摘要】 本发明公开了属于无机块状材料制备领域的一种化学气相沉积低温生长ZnS设备和工艺方法。该内容主要包括：通过采用具有非封闭边界属性的沉积室硬件结构；同时对沉积室进行表面处理；沉积产品经过原位变温热处理，有效地解决了低温CVDZnS材料起拱和开裂的问题，可获得比高温CVDZnS红外光学性能更为优异的大尺寸材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 北京国晶辉红外光学科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810246565.2 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101759225A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101759225B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01G9/08; C01G9/00 【发明人】王铁艳; 苏小平; 张福昌; 杨海; 魏乃光; 杨建纯; 赵永田; 霍承松; 付利刚; 石红春 【主权项内容】一种化学气相沉积ZnS低温生长的设备，其特征在于，在真空炉内最下端安放锌池(1)，内部盛放锌原料，锌池侧壁接有氩气进口管(5)，在锌池的盖部通过喷嘴(2)与其上部的沉积室(3)接通，并有经氩气稀释的硫化氢气体进口管(6)与喷嘴相连，沉积室(3)的上口与卸料箱(4)的下口相通，卸料箱内安放挡板(9)，且上口与抽气管道(7)、高效过滤器(10)、真空泵(11)、硫化氢吸收塔(12)相连。在真空炉内设有加热器(8)，给锌池和沉积室提供加热。 【当前权利人】有研国晶辉新材料有限公司 【当前专利权人地址】河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108723577081E 【被引证次数】8 【被自引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
