【摘要】 本发明公开了一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法。所述碳纳米管的修饰方法包括以下步骤：1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥；2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥。所述碳纳米管电子器件的制造方法包括以下步骤：a)按照上述方法修饰碳纳米管；b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上；c)蒸镀金属电极；d)去除所述掩膜，获得碳纳米管电子器件。本发明适用于在光学显微镜下识别、观察、操纵碳纳米管并制造述碳纳米管电子器件。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810106415.1 【申请日】2008-05-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101284664B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101284664B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/02; B82B3/00; C23C14/24 【发明人】褚海滨; 李彦; 王金泳 【主权项内容】一种碳纳米管的修饰方法，包括以下步骤：1)将碳纳米管浸入浓度为0.01mM到100mM的氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应30秒到90分钟后从溶液中取出，洗涤，干燥；所述还原性有机溶剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丙酮、乙醛、苯甲醇或苯甲醛或它们的混合物；所述水和还原性有机溶剂的体积比为1∶3到3∶1；2)将碳纳米管浸入浓度为0.01mM到25mM的氯金酸和浓度为0.01mM到25mM的水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应，反应30秒到120分钟后从溶液中取出，洗涤，干燥；所述水溶性还原剂为葡萄糖、抗坏血酸、柠檬酸钠或盐酸羟胺或它们的混合物；所述含水溶剂为水，或水和甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇或它们的混合物的混合溶剂。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【家族被引证次数】8
