【摘要】 本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、InAs/GaSb超晶格层、GaSb盖层和钛金合金电极构成。本发明同时公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器的制作方法。利用本发明，在GaAs衬底上生长出了高质量的GaSb缓冲层，并在该GaSb缓冲层上生长出了InAs/GaSb超晶格，进而能够制作出暗电流低，成本低廉的红外探测器。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810106276.2 【申请日】2008-05-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101576413B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101576413B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/111 【发明人】汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 【主权项内容】一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，其特征在于，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、InAs/GaSb超晶格层、GaSb盖层和钛金合金电极构成，其中所述AlSb成核层的厚度为5nm。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】10
