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一种用石棉尾矿酸浸渣制备硅质多孔材料的方法专利

发布时间:2026-06-12

【摘要】 将石棉尾矿酸浸及过滤后的固体渣洗涤、过滤和干燥后,在400~800℃下 煅烧30~120min,得到一种硅质多孔材料。这种硅质多孔材料的SiO2含量>86%, 比表面积>300m2/g,颗粒内部孔隙发达,孔径分布范围主要集中于0.45~2nm。 该材料原料广泛、生产成本较低、对Cu2+、Pb2+、Ni2+、Cd2+、Cr3+等重金 属离子的吸附性能好,可用作含重金属离子废水、废气及相关领域的吸附材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国矿业大学(北京) 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路丁11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222081.4 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101670268A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】B01J20/10; B01J20/30; C01B33/113; B09B3/00; C01B33/00 【发明人】郑水林; 檀竹红 【主权项内容】: 1.一种用石棉尾矿酸浸渣制备硅质多孔材料的方法,其特征在于其工艺步骤为: 将石棉尾矿酸浸及过滤后的固体渣洗涤、过滤和干燥后进行煅烧,即得到 硅质多孔材料。 【当前权利人】中国矿业大学(北京) 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路丁11号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400010937G 【引证次数】3.0 【被引证次数】10 【自引次数】3.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】10

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  • 【摘要】一种超快的光学偏振扰偏器,属于光纤通信和光学工程领域。通常的光学偏振扰偏器由LiNbO3波导或多个波片组成,利用电光效应或机械转动的方法实现对偏振光的扰偏,具有扰偏速度慢的缺点。本发明提出利用非线性四波混频效应,实现一种超快的光学偏