【摘要】 本发明公开了减小线头间距的方法，用于干法刻蚀打开抗反射涂层的过程，包括：使用CF4、HBr和O2的混合气体进行刻蚀后；再使用HBr和O2的混合气体进行刻蚀。本发明提供的减小线头间距的方法，通过将现有技术中刻蚀速度较快的一步刻蚀法修改为两步刻蚀法，且所述两步刻蚀的刻蚀气体对Barc layer进行刻蚀时polymer较多，所述polymer沉积在线头处形成的保护层使得刻蚀气体对barc layer水平方向的刻蚀速度大大减缓，而在竖直方向的刻蚀速度则基本不受影响，从而能够有效减小沿竖直方向进行Barcopen的过程中Barc layer在水平方向的线头缩减，并最终减小了poly line的线头间距。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227470.6 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740482A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/311; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】陈海华; 张海洋; 黄怡; 赵林林 【主权项内容】减小线头间距的方法，用于干法刻蚀打开抗反射涂层的过程，其特征在于，该方法包括：使用CF4、HBr和O2的混合气体进行刻蚀后；再使用HBr和O2的混合气体进行刻蚀。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2
