【摘要】 一种等离子体反应腔室预处理方法，利用所述反应腔室对引入其中 的基底执行处理操作之前，还包括：将表面具有有机膜层的载片置于所 述反应腔室；向所述反应腔室中通入离子化的氟碳气体，所述氟碳气体 的氟碳比例小于或等于2∶1；将所述载片移出所述反应腔室。可减少所 述弧光放电现象的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117724.9 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101643895A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101643895B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【发明人】王新鹏; 孙武; 尹晓明; 张海洋 【主权项内容】1.一种等离子体反应腔室预处理方法，其特征在于，利用所述反 应腔室对引入其中的基底执行处理操作之前，还包括： 将表面具有有机膜层的载片置于所述反应腔室； 向所述反应腔室中通入离子化的氟碳气体，所述氟碳气体的氟碳比 例小于或等于2∶1； 将所述载片移出所述反应腔室。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
