【摘要】 本发明公开了一种刻蚀方法，包括步骤：提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第二直流电压与所述第一直流电压极性相反；停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；停止通入所述辅助气体；取出所述衬底。采用本发明的刻蚀方法，可以有效防止因刻蚀后衬底带静电而导致的球状缺陷的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227178.4 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740339A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740339B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/311; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】王新鹏; 沈满华; 孙武 【主权项内容】一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成待刻蚀图形的衬底；将所述衬底放入处理室内；在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；通入刻蚀气体和辅助气体；对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；停止通入所述刻蚀气体；在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第二直流电压与所述第一直流电压极性相反；停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；停止通入所述辅助气体；取出所述衬底。 （，） 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
