【摘要】 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240351.4 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752444A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752444B 【授权公告日】2012-01-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/075; H01L31/0304; H01L31/18 【发明人】张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽 【主权项内容】一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底之上，该低温氮化镓成核层用于增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层之上，该非有意掺杂氮化镓缓冲层用于减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InxGa1-xN层，该n型掺杂InxGa1-xN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层之上，该n型掺杂InxGa1-xN层是InGaN量子点太阳电池的一部分；一非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构，该非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构层制作在n型掺杂InxGa1-xN层之上，该非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构是InGaN量子点太阳电池的一部分；一p型掺杂InxGa1-xN层，该p型掺杂InxGa1-xN层制作在非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构层之上，该p型掺杂InxGa1-xN层是InGaN量子点太阳电池的一部分。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】19 【被自引次数】1.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】19
