【摘要】 本发明涉及一种集成电路热真空试验方法，该方法通过试验要求或者受试集成电路元器件标称的可靠性指标，确定试验严酷度，从而确定试验温变速率、极限温度、压变速率以及试验要求压力值后，将受试集成电路元器件放入热真空试验箱内；调试、测试试验箱密封以及测试试验系统导通后，按设定的压变速率降低试验箱内压力至试验要求压力值；按设定的温变速率降/升温至极限温度，保持极限温度一定时间，同时对受试集成电路进行电性能测试；完整重复以上循环至规定的循环次数后，对受试集成电路元器件进行最终电性能测试，确定受试集成电路元器件是否符合试验要求。该方法能够指导元器件级热真空试验，提高航天用集成电路的可靠性，指导集成电路的热设计。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100089 北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119859.9 【申请日】2008-09-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101354429B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101354429B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R31/28; G01R31/00 【发明人】王群勇; 刘欣伟; 姜大勇; 史菲; 陈冬梅; 阳辉; 潘玉春; 吴文章; 陈宇; 白桦 【主权项内容】一种集成电路热真空试验方法，该方法包括步骤：S101.通过测试夹具将集成电路元器件安装在热真空试验箱中；S102.按设定压变速率将试验箱内压力减小到试验要求压力值；S103.按设定的温变速率，降低/升高试验箱内温度至试验要求所述集成电路元器件需被证明可承受的极限低/高温度TQ-min/TQ-max，监测整个过程中所述集成电路元器件电性能变化；S104.保持所述TQ-min/TQ-max持续设定的时间，对所述集成电路元器件进行敏感参数测试，并监控所述敏感参数的变化情况；S105.按所述设定的温变速率，升高/降低试验箱内温度至TQ-max/TQ-min，监测整个过程中所述集成电路元器件电性能变化；S106.保持TQ-max/TQ-min持续设定的时间，对所述集成电路元器件进行敏感参数测试，并监控所述敏感参数的变化情况；S107.所述电性能测试以及敏感参数变化正常，则一次完整的循环结束，重复步骤S103-S107至完成试验要求循环次数。 【当前权利人】北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91110108780971739J 【家族被引证次数】16
