【摘要】 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极；金属剥离，形成金属图形。利用本发明，能够制作出性能良好的E/D MHEMT器件，成功的将增强型MHEMT器件和耗尽型MHEMT器件集成于同一芯片内，具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103226.9 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552236B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552236B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8232 【发明人】黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 【主权项内容】一种单片集成GaAs基增强/耗尽型高电子迁移率晶体管E/DMHEMT的制作方法，其特征在于，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，具体包括：首先涂胶，使用AZ5206光刻胶，转速为3000转/分，涂1分钟，光刻胶厚度为1.4μm，然后使用95℃热板，烘烤90秒，接着使用栅金属版光刻，大机器曝光，曝光时间为2.1秒，然后挖栅槽，采用柠檬酸∶双氧水＝1∶1的混合溶液腐蚀InGaAs帽层，形成增强耗尽型栅极，最后蒸发栅金属Ti/Pt/Au，其中Ti的厚度为Pt的厚度为Au的厚度为金属剥离，形成金属图形。FSB00000213986700011.tif, FSB00000213986700012.tif, FSB00000213986700013.tif 【当前权利人】锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 【当前专利权人地址】广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】4.0 【自引次数】3.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0
