【摘要】 本发明涉及CuTe单晶纳米带，特别涉及一种用电化学沉积制备CuTe单品纳米带的方法。以Te的化合物和Cu盐为主要原料，以氨水为介质，以Pt片、饱和甘汞电极分别作对电极和参比电极，以导电玻璃或金属片(如Cu片)为工作电极，通过电化学分析仪给工作电极加上一定的电位，恒定温度下反应一段时间后，在工作电极上得到大量的CuTe单晶纳米带。CuTe单晶纳米带的厚度为10～100nm；宽度为100～800nm；长度几微米。所述的CuTe单晶纳米带为正交结构，沿[010]方向择优生长。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院理化技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村北一条2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810100982.6 【申请日】2008-02-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311384B 【公开公告日】2010-07-14 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311384B 【授权公告日】2010-07-14 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/46; C30B29/62; C30B30/02 【发明人】师文生; 佘广为 【主权项内容】微信 。一种CuTe单晶纳米带，其特征是：所述的CuTe单晶纳米带的厚度为10～100nm，宽度为100～800nm，长度为1～10μm。 【当前权利人】中国科学院理化技术研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条2号 【统一社会信用代码】12100000717800662F 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4
