【摘要】 本发明公开了一种多级降压收集极双层电极及制备工艺，涉及真空器件技术，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。该电极可以利用外层电极保证与陶瓷或其它金属的气密封接，而其内层的热解石墨或高密度各向同性石墨具有很低的二次电子发射系数，有利于提高多级降压收集极的效率。该制备工艺，采用涂敷、烧结技术，简单、牢固。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810238872.6 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752168A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752168B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01J23/027; H01J9/02; H01J23/02 【发明人】赵建东; 吕京京 【主权项内容】一种多级降压收集极双层电极，其特征在于，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【被引证次数】11 【被自引次数】8.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】11
