【摘要】 本发明公开了一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法，涉及微波器件技术，包括步骤：将样品放入直流磁控溅射台内；抽真空，并对样品进行烘烤，烘烤温度控制在200℃；观察溅射台内的真空状况，当真空达到8×10-4Pa时，充入惰性气体(氩气)，使真空降低，达到5～30Pa；此时，打开直流溅射电源(电压350V，电流200mA)，对金属靶(Ir)进行溅射20分钟；由于真空室内气压较高，这时被溅射出的原子相互碰撞而形成较大的原子团，即纳米粒子颗粒，此纳米粒子颗粒沉积在样品表面形成纳米金属薄膜，可以有效的提高慢波组件表面的辐射能力，从而使慢波组件的散热性能得到改善。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810238873.0 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752158A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752158B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01J9/00; H01J23/00; C23C14/14; C23C14/02; C23C14/35 【发明人】韩勇; 刘燕文; 丁耀根; 刘濮鲲 【主权项内容】一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法，其特征在于，包括步骤如下：步骤1：将慢波组件样品放入直流磁控溅射台内；步骤2：抽真空，并在100～400℃温度下对样品进行烘烤；步骤3：当真空达到8×10～4Pa以上时，充入惰性气体，使真空度降低，气压升高；步骤4：当压强达到5～30Pa时，打开直流溅射电源，对金属靶进行溅射10～30分钟；步骤5：由于真空室内气压较高，这时被溅射出的原子相互碰撞而形成较大的原子团，即纳米粒子颗粒；步骤6：纳米粒子颗粒在样品表面沉积，形成纳米金属薄膜。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【家族引证次数】4.0
