【摘要】 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金 属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢 等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接 触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO 薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降 低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技 术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混 合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得 到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基 础。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223613.6 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685776A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685776B 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/285; H01L21/461; H01L33/00; H01S5/00; H01L21/02 【发明人】张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高云; 陈诺夫 【主权项内容】1、一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，其特征在于，该方法是在沉 积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在 经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆 接触。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】10 【被自引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
