【摘要】 本发明公开了一种用于监控介质平坦化过程的方法，包括：A、在制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B、在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显影，在监控图形上制作特定形状的图形；C、利用氧气或含有氧气的等离子体刻蚀基片一定时间；D、在光学显微镜下观察监控图形；E、重复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。本发明制作监控图形与器件的工艺同步进行，不需要额外的工艺过程，降低了监控难度，提高了监控精度；同时本发明也避免了使用复杂设备的开销，有效节约成本，可以准确监控平坦化过程，使工艺稳定，避免过刻蚀或欠刻蚀造成的工艺不稳定。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810104224.1 【申请日】2008-04-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101562135B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101562135B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/331; H01L21/311 【发明人】金智; 刘新宇 【主权项内容】一种用于监控介质平坦化过程的方法，其特征在于，该方法包括：A、在制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B、在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显影，在监控图形上制作特定形状的图形；C、利用氧气或含有氧气的等离子体刻蚀基片一定时间；D、在光学显微镜下观察监控图形；E、重复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3
