【摘要】 本发明公开了一种形成焊盘的两步刻蚀方法，包括：在形成最后一层金 属层的圆片上依次生长停止层和钝化层，所述停止层为不同于所述钝化层的 绝缘材料；将生长了停止层和钝化层的圆片光刻出焊盘的图形；根据所述焊 盘图形刻蚀所述钝化层，去除所述光刻用的光刻胶；刻蚀所述停止层以形成 焊盘。本发明在去除光刻胶时，利用停止层来保护焊盘表面，从而避免了对 焊盘表面的氧化，减少后续湿法清洗对焊盘表面造成的缺陷，进一步防止出 现引线容易脱落或引线键合失败的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222112.6 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673692A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673692B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/60 【发明人】王新鹏; 康芸; 聂佳相 【主权项内容】1、一种形成焊盘的两步刻蚀方法，其特征在于，该方法包括： 在形成最后一层金属层的圆片上依次生长停止层和钝化层，所述停止层为 不同于所述钝化层的绝缘材料； 将生长了停止层和钝化层的圆片光刻出焊盘的图形； 根据所述焊盘图形刻蚀所述钝化层，去除所述光刻用的光刻胶； 刻蚀所述停止层以形成焊盘。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】11 【被自引次数】4.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】11
