【摘要】 本发明公开了一种具有栅极侧壁层的半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上形成的栅极、栅极侧壁层和源/漏极，其中，所述半导体器件的栅极侧壁层具有应力。本发明还相应地公开了一种具有栅极侧壁层的半导体器件的形成方法。采用本发明的具有栅极侧壁层的半导体器件及其形成方法，形成了具有较大应力的栅极侧壁层，有效地改善了器件的电性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227174.6 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740620A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740620B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/40; H01L21/336; H01L21/28; H01L29/66; H01L21/02 【发明人】吴永玉; 何有丰 【主权项内容】一种具有栅极侧壁层的半导体器件，包括衬底、在所述衬底上形成的栅极、位于所述栅极侧壁处的栅极侧壁层和位于所述栅极两侧的源/漏极，其特征在于：所述半导体器件的栅极侧壁层具有应力。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
