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IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法专利

发布时间:2026-06-10

【摘要】 本发明涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括 栅线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管,栅线和数据线为折线形 且绝缘交叉设置,公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设置的菱形。 制造方法包括:在基板上形成栅线、栅电极、公共电极、数据线、源电极、 漏电极和TFT沟道区域图形,其中栅线和数据线为折线形,公共电极为数个 相互嵌套的菱形;沉积透明导电薄膜,形成数个菱形的像素电极图形,像素 电极与公共电极相互嵌套并间隔设置。本发明通过将公共电极和像素电极设 置成相互嵌套并间隔设置的菱形,在一个像素区域内形成四畴结构,增加了 四个方向的视角,而且能够更好的抵消色畸变,增强色彩纯度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119323.7 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101666949A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101666949B 【授权公告日】2012-09-19 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84; G02F1/13 【发明人】夏子祺; 张志男; 洪美花 【主权项内容】1.一种IPS型TFT-LCD阵列基板,包括形成在像素区域内的栅线、数据 线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述栅线和数据线为 折线形且绝缘交叉设置,所述公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设 置的菱形。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】8 【被自引次数】6.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9

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  • 【摘要】一种制作射频识别(RFID)标签天线的紫外光固化银导电浆料,质量百分数组成为:光敏性树脂,5-35;活性稀释剂,1-20;光引发剂,1-5;助剂,0.1-2;溶剂,0-10,片状银粉,0-80;球状银粉,0-80。其中,光敏性树脂是
  • 【摘要】本发明涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括 栅线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管,栅线和数据线为折线形 且绝缘交叉设置,公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设置的菱形。 制造方法包括:在基板上形
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