【摘要】 用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目 前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本 发明提供的一种用于相变存储器的硅-碲-锑存储材料，组成通式为 SiaTebSb100-(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温 度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结 构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能 力。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100022北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103803.4 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100590903C 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100590903C 【授权公告日】2010-02-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; G11C11/56; G11C16/02; G11B7/243; C22C12/00; G11B7/2433 【发明人】韩晓东; 成岩; 王珂; 张泽; 宋志棠; 刘波; 张挺; 封松林 【主权项内容】1、一种用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料，其特征在于所 述的存储材料为硅-碲-锑的混合物，组成通式为SiaTebSb100-(a+b)，其中20≤a ≤60，20≤b＜48。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】3.0 【被引证次数】8 【他引次数】3.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】12
