【摘要】 本发明涉及的是一种纳米技术领域的有机单分子层修饰中孔硅纳米粒子的方法，中孔硅纳米粒子先用水对中孔硅纳米粒子表面润湿，然后分散在干燥的有机溶剂中，搅拌，加入有机氯硅烷。再搅拌一定时间后，过滤，洗涤、干燥，得到功能化的中孔硅纳米粒子。本发明简单易行，在室温下就可以使反应完成。本发明使中孔硅纳米粒子表面形成有机单分子层，有机单分子层在中孔硅纳米粒子表面覆盖程度高，最高可使100％中孔硅纳米粒子表面被有机单分子层覆盖。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810201610.2 【申请日】2008-10-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101391771B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101391771B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B33/021 【发明人】魏良明; 张亚非 【主权项内容】一种有机单分子层修饰中孔硅纳米粒子的方法，其特征在于，先用水对中孔纳米粒子表面润湿，然后分散在干燥的有机溶剂中，第一次搅拌，加入有机氯硅烷，再搅拌，过滤，洗涤、干燥，得到功能化的中孔硅纳米粒子。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0
