【摘要】 一种低电压液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，属于类金刚石薄膜制备技术领域。本发明方法以氧化铟锡导电玻璃为阴极，铂片为阳极，甲酰胺为电解液，在常温条件下，通过在阴阳两电极之间施加3～30V的直流电压，可在氧化铟锡导电玻璃阴极上沉积出类金刚石薄膜。该方法具有设备简单、能耗低、沉积速率快及成膜均一性好等优点，易于实现工业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京化工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北三环东路15号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103011.7 【申请日】2008-03-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101381882B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101381882B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25D9/08 【发明人】杨文胜; 王毅; 陈晨 【主权项内容】一种低电压液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于，工艺步骤为：以预先清洗干净的氧化铟锡导电玻璃为阴极，铂片电极为阳极，甲酰胺为电解液，在10～40℃条件下，在阴阳两电极之间施加3～30V的直流电压1～30分钟，在氧化铟锡导电玻璃阴极上沉积出类金刚石薄膜；阴阳两电极之间的距离为10～30毫米。 【当前权利人】北京化工大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北三环东路15号 【统一社会信用代码】1210000040000182XD 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
