【摘要】 一种通孔形成方法，包括：在基底上形成介质层；图形化所述介质层，形成接触孔；形成覆盖所述接触孔侧壁及底壁的粘接基层；在所述粘接基层上形成经历无机化操作的第一粘接层；在所述第一粘接层上形成经历无机化操作的第二粘接层；形成覆盖所述第二粘接层并填充所述接触孔的金属层。可减小包含所述通孔的器件的接触电阻。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810113993.8 【申请日】2008-05-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593723B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593723B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/60; H01L21/28 【发明人】陈国海; 苏娜; 胡宇慧; 杨瑞鹏 【主权项内容】一种通孔形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成介质层；图形化所述介质层，形成接触孔；形成覆盖所述接触孔侧壁及底壁的粘接基层；在所述粘接基层上形成经历无机化操作的第一粘接屋；在所述第一粘接层上形成经历无机化操作的第二粘接层；形成覆盖所述第二粘接层并填充所述接触孔的金属层，形成所述金属层的步骤包括：形成覆盖所述第二粘接层的第一金属核层；在所述第一金属核层上形成第二金属核层，所述第二金属核层内的晶粒尺寸大于所述第一金属核层内的晶粒尺寸；形成覆盖所述第二金属核层并填充所述接触孔的金属填充层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8
