【摘要】 本发明涉及一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于将纯度为99.99％的Ta2O5和SnO2粉末按照重量比1∶99～10∶90充分混合，压制成型后，在1500～1650℃下烧结成钽掺杂氧化锡溅射靶材，然后利用磁控溅射法制备出不同钽含量的掺杂氧化锡透明导电薄膜。所得薄膜具有表面平坦致密、膜层厚度均匀、光电性能优异、制备工艺简单、成本低廉及易于实现工业化生产等特点；同时还具有良好的力学性能、化学耐久性、高温热稳定性及生物相容性。该薄膜不仅可用于平板显示器、太阳能电池、透明电磁屏蔽和抗静电装置，还能用于对薄膜毒性、生物相容性有特殊要求的电阻式触摸屏与生物传感器等。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650093 云南省昆明市五华区学府路253号 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810058312.2 【申请日】2008-04-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101260512B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101260512B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/06; C23C14/02; C23C14/58; C23C14/54 【发明人】张玉勤; 蒋业华; 周荣 【主权项内容】1.一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于经过下列工艺步骤：(1)将纯度为99.99％的Ta2O5和SnO2粉末充分混合，在60～80Mpa 的压强下压制成坯后，放入高温烧结炉，在空气中1500～1650℃下烧结3～5小时，烧结成钽掺杂氧化锡溅射靶材，靶材中Ta2O5的质量百分含量控制在1～10％，其余为SnO2；(2)将所制得的钽掺杂氧化锡溅射靶材用分析纯丙酮和去离子水充分清洗，然后在120～140℃保温2～3小时，去除表面油污杂质；(3)采用普通载玻片作为薄膜基底材料，在溅射前先用分析纯丙酮和去离子水清洗，之后在80～90℃保温1～2小时，以去除表面油污杂质；(4)将经步骤(2)和(3)处理过的溅射靶材及普通载玻片放入磁控溅射仪中，抽真空使得溅射室本底真空度达到1×10-4Pa，然后持续充入纯度为99.999％的氩气和99.99％的氧气的混合气体，接着对靶材预溅射5min，去除表面杂质后，保持普通载玻片基底温度25～100℃，再对靶材进行溅射，制得溅射态薄膜，薄膜溅射工艺条件是：溅射功率50～400W，溅射过程中，控制溅射室内氩气压力为0.4～1Pa，氧气分压为0.5～1.5Pa，溅射时间15～50min；(5)将(4)步骤所得薄膜放入热处理炉中，在温度为400～600℃，保温0.5～3小时的条件下进行热处理，之后将薄膜冷却至室温，即得钽掺杂氧化锡透明导电薄膜。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市五华区学府路253号 【统一社会信用代码】125300004312044864 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8
